Bağış 15 Eylül 2024 – 1 Ekim 2024
Bağış toplama hakkında
kitap ara
kitaplar
Bağış:
66.8% ulaştı
Giriş yap
Giriş yap
giriş yapıldıktan sonra kullanıcılar aşağıdakileri kullanılabilir:
kişisel Tavsiyeler
Telegram botu
indirme geçmişi
E-posta'ya veya Kindle'e gönder
koleksiyon yönetimi
favorilere kaydet
Kişisel
Kitap istekleri
Keşfet
Z-Recommend
Kitap seçimi
En popüler
Kategoriler
Bağış
Destekle
Yüklenilenler
Litera Library
Kağıt kitapları bağış yapın
Basılı kitaplar ekleyin
Search paper books
Benim LITERA Point
Anahtar kelime araması
Main
Anahtar kelime araması
search
1
Silicon Epitaxy
Elsevier, Academic Press
Danilo Crippa
,
Daniel L. Rode and Maurizio Masi (Eds.)
surface
growth
temperature
silicon
deposition
wafer
layer
epitaxial
reactor
cvd
rate
reactors
reaction
wafers
thickness
substrate
thermal
epitaxy
layers
chemical
oxide
hydrogen
devices
species
sil_xgex
doping
plasma
effect
dopant
defects
device
chamber
susceptor
processes
resistivity
reactions
diffusion
kinetic
phys
hc1
materials
temperatures
techniques
films
shown
contamination
mbe
measurement
structures
doped
Yıl:
2001
Dil:
english
Dosya:
PDF, 22.78 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
english, 2001
2
Silicon Epitaxy
Elsevier, Academic Press
Danilo Crippa
,
Daniel L. Rode and Maurizio Masi (Eds.)
surface
growth
temperature
silicon
deposition
wafer
layer
epitaxial
reactor
cvd
rate
reactors
reaction
wafers
thickness
substrate
thermal
epitaxy
layers
chemical
oxide
hydrogen
devices
species
sil_xgex
doping
plasma
effect
dopant
defects
device
chamber
susceptor
processes
resistivity
reactions
diffusion
kinetic
phys
hc1
materials
temperatures
techniques
films
shown
contamination
mbe
measurement
structures
doped
Yıl:
2001
Dil:
english
Dosya:
PDF, 24.67 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
english, 2001
3
Halbleiterepitaxie
De Gruyter
Helmut Günther Schneider
schichten
abb
silicium
substrat
epitaxie
korund
verfahren
abscheidung
schicht
sowie
oberfläche
phys
soc
abhängigkeit
gaas
growth
electrochem
erfolgt
sih
bzw
crystal
homoepitaxie
eigenschaften
temperatur
epitaxieschichten
schichtdicke
spinell
cvd
autodoping
herstellung
hcl
temperaturen
beweglichkeiten
epitaxieschicht
bedeutung
sowohl
abschn
appi
reaktion
verbindungshalbleitern
versetzungen
bedingungen
liegen
verbindungen
konzentration
anwendung
bereich
tabelle
gasphase
läßt
Yıl:
1985
Dil:
german
Dosya:
PDF, 32.00 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
german, 1985
4
Epitaxial Silicon Technology
Elsevier Science
B. Baliga (Eds.)
silicon
epitaxial
surface
growth
layer
epitaxy
substrate
doping
rate
films
wafer
oxide
device
layers
deposition
buried
melt
defects
wafers
diffusion
devices
thickness
density
electron
phys
crystal
sapphire
incorporation
surfaces
μπι
figure
appl
profile
temperature
carrier
partial
solid
bulk
gate
cooling
electrochem
function
nucleation
soc
flux
increase
obtained
baliga
technology
grid
Yıl:
1986
Dil:
english
Dosya:
PDF, 8.11 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
english, 1986
1
Bu bağlantıyı
takip edin veya Telegram'da @BotFather botunu arayın
2
Ona /newbot gönder
3
Botunuz için bir ad girin
4
Bot için kullanıcı adını belirtin
5
BotFather'dan gelen son mesajı kopyalayın ve buraya yapıştırın
×
×